Número do Produto do Fabricante:
SPI70N10L
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPI70N10L-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventário:
12807822
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SPI70N10L Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4540 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3-1
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
SPI70N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000014005
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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