Número do Produto do Fabricante:
SPI21N50C3XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPI21N50C3XKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 560V 21A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 560 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventário:
450 Pcs Novo Original Em Estoque
12808038
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SPI21N50C3XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
560 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3-1
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
SPI21N50
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SPI21N50C3XK
SP000681012
448-SPI21N50C3XKSA1
SPI21N50C3-DG
SPI21N50C3X
SPI21N50C3XKSA1-DG
SPI21N50C3
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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