Número do Produto do Fabricante:
SPI15N60C3HKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPI15N60C3HKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventário:
12807216
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SPI15N60C3HKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 9.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 675µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1660 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3-1
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
SPI15N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SPI15N60C3XK
SPI15N60C3IN-DG
SPI15N60C3IN
SPI15N60C3
SPI15N60C3-DG
SPI15N60C3X
SP000014528
SP000680998
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STI24N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1180
NÚMERO DA PEÇA
STI24N60M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.07
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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