Número do Produto do Fabricante:
SPI12N50C3XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPI12N50C3XKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 560 V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventário:
12855398
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SPI12N50C3XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
560 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3-1
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
SPI12N
Informação Adicional
Outros nomes
IFEINFSPI12N50C3XKSA1
SPI12N50C3IN
SPI12N50C3IN-DG
SPI12N50C3
SPI12N50C3X
SP000680996
2156-SPI12N50C3XKSA1-IT
SPI12N50C3-DG
SPI12N50C3XK
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STI24NM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
981
NÚMERO DA PEÇA
STI24NM60N-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
NÚMERO DA PEÇA
STP14NM50N
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
892
NÚMERO DA PEÇA
STP14NM50N-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.69
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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