Número do Produto do Fabricante:
SPI100N03S2L03
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPI100N03S2L03-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 100A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventário:
12808104
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SPI100N03S2L03 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8180 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3-1
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
SPI100N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SPI100N03S2L03X-DG
SPI100N03S2L03X
SP000013491
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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