Número do Produto do Fabricante:
SPD08P06PGBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPD08P06PGBTMA1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
9057 Pcs Novo Original Em Estoque
12806775
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SPD08P06PGBTMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
SIPMOS®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.83A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6.2V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 10A, 6.2V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
420 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SPD08P06
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SPD08P06PGBTMA1DKR
SPD08P06PGINCT
SPD08P06PGINDKRINACTIVE
SP000096087
SPD08P06PG
2156-SPD08P06PGBTMA1
SPD08P06PGBTMA1CT
SPD08P06PGINDKR
SPD08P06PGINTR-DG
INFINFSPD08P06PGBTMA1
SPD08P06P G
SPD08P06PGINCT-DG
SP000450534
SPD08P06PGINTR
SPD08P06PGXT
SPD08P06PGINDKR-DG
SPD08P06PGINTRINACTIVE
SPD08P06P G-DG
SPD08P06PGBTMA1TR
SPD08P06PGINCTINACTIVE
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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