Número do Produto do Fabricante:
SPD02N50C3BTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPD02N50C3BTMA1-DG
Descrição:
LOW POWER_LEGACY
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-311
Inventário:
12807912
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SPD02N50C3BTMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 80µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
190 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-311
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SPD02N
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-SPD02N50C3BTMA1-ITTR
SP000313942
INFINFSPD02N50C3BTMA1
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPD60R1K5CEAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
25223
NÚMERO DA PEÇA
IPD60R1K5CEAUMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.19
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRLR8103TR
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
SPP04N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3
SPP35N10
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3
