Número do Produto do Fabricante:
SPD02N50C3
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPD02N50C3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 560V 1.8A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 560 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventário:
12807351
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SPD02N50C3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
560 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 80µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
190 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-11
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SPD02N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SPD02N50C3XT
INFINFSPD02N50C3
SPD02N50C3XT-DG
2156-SPD02N50C3
SP000014476
SPD02N50C3INCT
2156-SPD02N50C3-ITTR-DG
SPD02N50C3INTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD3NK50ZT4
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2443
NÚMERO DA PEÇA
STD3NK50ZT4-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.42
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
AOD3N50
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
8729
NÚMERO DA PEÇA
AOD3N50-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.21
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
STD4N52K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
STD4N52K3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.50
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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