Número do Produto do Fabricante:
SPB35N10
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPB35N10-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventário:
12807362
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SPB35N10 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 26.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 83µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1570 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SPB35N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SPB35N10INTR
SPB35N10INCT
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STB30NF10T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
971
NÚMERO DA PEÇA
STB30NF10T4-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.66
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
FQB44N10TM
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
800
NÚMERO DA PEÇA
FQB44N10TM-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.96
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
FDB3682
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
401
NÚMERO DA PEÇA
FDB3682-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.92
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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