Número do Produto do Fabricante:
SPB02N60S5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPB02N60S5ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventário:
87 Pcs Novo Original Em Estoque
12806637
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SPB02N60S5ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
CoolMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 80µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
240 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SPB02N
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SPB02N60S5
SPB02N60S5INTR-DG
SPB02N60S5ATMA1CT
SPB02N60S5INCT
SP000012388
SPB02N60S5INTR
SPB02N60S5-DG
SPB02N60S5INDKR
SPB02N60S5ATMA1TR
SPB02N60S5XT
SPB02N60S5INCT-DG
SPB02N60S5ATMA1DKR
SPB02N60S5INDKR-DG
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD3N62K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3586
NÚMERO DA PEÇA
STD3N62K3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.36
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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