Número do Produto do Fabricante:
ISP25DP06NMXTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
ISP25DP06NMXTSA1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventário:
3973 Pcs Novo Original Em Estoque
12807335
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ISP25DP06NMXTSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 270µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
420 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223-4
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
ISP25DP06
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP004987272
ISP25DP06NMXTSA1-DG
448-ISP25DP06NMXTSA1DKR
448-ISP25DP06NMXTSA1TR
448-ISP25DP06NMXTSA1CT
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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