Número do Produto do Fabricante:
ISC0803NLSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
ISC0803NLSATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 8.8A (Ta), 37A (Tc) 2.5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Inventário:
2433 Pcs Novo Original Em Estoque
12965939
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ISC0803NLSATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 5
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 37A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 18µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
ISC0803N
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
448-ISC0803NLSATMA1DKR
448-ISC0803NLSATMA1TR
SP005430489
448-ISC0803NLSATMA1CT
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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