Número do Produto do Fabricante:
IRLS4030-7PPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRLS4030-7PPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Inventário:
12818562
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Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
3SmB
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IRLS4030-7PPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 110A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11490 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
370W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK (7-Lead)
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001568682
IRLS40307PPBF
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPB039N10N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
29647
NÚMERO DA PEÇA
IPB039N10N3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.22
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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