Número do Produto do Fabricante:
IRLR8103
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRLR8103-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 89A (Ta) 89W (Ta) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventário:
12807383
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IRLR8103 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
89A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA (Min)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
89W (Ta)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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