IRLIB4343
Número do Produto do Fabricante:

IRLIB4343

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IRLIB4343-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB FP
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak

Inventário:

12805214
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IRLIB4343 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
740 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB Full-Pak
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack

Folha de Dados & Documentos

Recursos de design
Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
*IRLIB4343
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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