Número do Produto do Fabricante:
IRLH5030TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRLH5030TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventário:
8710 Pcs Novo Original Em Estoque
12807731
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IRLH5030TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5185 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PQFN (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
IRLH5030
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRLH5030TRPBF-DG
IRLH5030TRPBFTR
IRLH5030TRPBFCT
IRLH5030TRPBFDKR
SP001558752
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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