Número do Produto do Fabricante:
IRL8114PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRL8114PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
12806208
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IRL8114PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.25V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2660 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
115W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRL8114
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001550392
64-0104PBF-DG
64-0104PBF
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPP042N03LGXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
238
NÚMERO DA PEÇA
IPP042N03LGXKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.49
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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