Número do Produto do Fabricante:
IRL80HS120
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRL80HS120-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 12.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Inventário:
35804 Pcs Novo Original Em Estoque
12806219
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IRL80HS120 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 10µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
11.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Pacote / Estojo
6-PowerVDFN
Número do produto base
IRL80HS120
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001592838
IRL80HS120TR
IRL80HS120CT
IRL80HS120DKR
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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