Número do Produto do Fabricante:
IRL60S216
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRL60S216-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventário:
12806624
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IRL60S216 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15330 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IRL60S216
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRL60S216CT
INFINFIRL60S216
SP001573906
2156-IRL60S216
IRL60S216DKR
IRL60S216TR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPB019N06L3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7726
NÚMERO DA PEÇA
IPB019N06L3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.57
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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