Número do Produto do Fabricante:
IRL520NS
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRL520NS-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
12805999
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IRL520NS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
440 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
*IRL520NS
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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