Número do Produto do Fabricante:
IRL2910L
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRL2910L-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 55A TO262
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Inventário:
12813931
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IRL2910L Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3700 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
*IRL2910L
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF540ZLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
862
NÚMERO DA PEÇA
IRF540ZLPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.53
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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