IRFU120NPBF
Número do Produto do Fabricante:

IRFU120NPBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IRFU120NPBF-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Inventário:

5236 Pcs Novo Original Em Estoque
12803791
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IRFU120NPBF Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
48W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK (TO-251AA)
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
IRFU120

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SP001557678
*IRFU120NPBF
Pacote padrão
75

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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