Número do Produto do Fabricante:
IRFSL3306PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFSL3306PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Inventário:
12805736
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IRFSL3306PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4520 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
230W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IRFSL3306
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001568072
448-IRFSL3306PBF
IRFSL3306PBF-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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