Número do Produto do Fabricante:
IRFSL23N20D
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFSL23N20D-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262
Inventário:
12802991
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IRFSL23N20D Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1960 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
*IRFSL23N20D
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FQI27N25TU
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
600
NÚMERO DA PEÇA
FQI27N25TU-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.48
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
MIC94031YM4-TR
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
IPI12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
IPAW60R280CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
