Número do Produto do Fabricante:
IRFHM8363TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFHM8363TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Inventário:
10516 Pcs Novo Original Em Estoque
12805296
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IRFHM8363TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Not For New Designs
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.35V @ 25µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1165pF @ 10V
Potência - Máx.
2.7W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Número do produto base
IRFHM8363
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
448-IRFHM8363TRPBFCT
IRFHM8363TRPBF-DG
SP001565948
448-IRFHM8363TRPBFDKR
448-IRFHM8363TRPBFTR
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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