Número do Produto do Fabricante:
IRFHM3911TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFHM3911TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 3.2A (Ta), 20A (Tc) 2.8W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Inventário:
34248 Pcs Novo Original Em Estoque
12805084
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IRFHM3911TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.2A (Ta), 20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 35µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PQFN (3x3)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
IRFHM3911
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IRFHM3911TRPBFTR
IRFHM3911TRPBF-DG
448-IRFHM3911TRPBFDKR
448-IRFHM3911TRPBFTR
SP001575850
448-IRFHM3911TRPBFCT
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFBA90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
IRFS3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IPB100N04S204ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3