Número do Produto do Fabricante:
IRFH8318TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFH8318TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventário:
15872 Pcs Novo Original Em Estoque
12804380
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IRFH8318TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
27A (Ta), 120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.35V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3180 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.6W (Ta), 59W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PQFN (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
IRFH8318
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRFH8318TRPBFCT
IRFH8318TRPBFDKR
SP001572710
IRFH8318TRPBFTR
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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