Número do Produto do Fabricante:
IRFH5220TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFH5220TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 3.8A (Ta), 20A (Tc) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventário:
12804742
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IRFH5220TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99.9mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1380 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PQFN (5x6)
Pacote / Estojo
8-VQFN Exposed Pad
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001570846
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSC12DN20NS3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
11979
NÚMERO DA PEÇA
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.52
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
FDMS2672
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1825
NÚMERO DA PEÇA
FDMS2672-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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