Número do Produto do Fabricante:
IRFH5025TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFH5025TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 250 V 3.8A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventário:
12806856
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IRFH5025TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2150 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PQFN (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
IRFH5025
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRFH5025TRPBFCT
IRFH5025TRPBFTR
INFINFIRFH5025TRPBF
IRFH5025TRPBF-DG
SP001575486
IRFH5025TRPBFDKR
2156-IRFH5025TRPBF
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TPH1110FNH,L1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
11608
NÚMERO DA PEÇA
TPH1110FNH,L1Q-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.68
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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