Número do Produto do Fabricante:
IRFH5020TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFH5020TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 5.1A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventário:
7900 Pcs Novo Original Em Estoque
12805842
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IRFH5020TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2290 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PQFN (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
IRFH5020
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRFH5020TRPBFDKR
IRFH5020TRPBFTR
IRFH5020TRPBFCT
IRFH5020TRPBF-DG
SP001575478
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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