Número do Produto do Fabricante:
IRF9Z34NSTRLPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF9Z34NSTRLPBF-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
2148 Pcs Novo Original Em Estoque
12804859
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IRF9Z34NSTRLPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
620 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IRF9Z34
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRF9Z34NSTRLPBFCT
IRF9Z34NSTRLPBF-DG
IRF9Z34NSTRLPBFTR
SP001554544
IRF9Z34NSTRLPBFDKR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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