Número do Produto do Fabricante:
IRF9Z24NL
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF9Z24NL-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 55V 12A TO262
Descrição Detalhada:
P-Channel 55 V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Through Hole TO-262
Inventário:
12805255
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IRF9Z24NL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
*IRF9Z24NL
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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