Número do Produto do Fabricante:
IRF9953TR
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF9953TR-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventário:
12806291
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IRF9953TR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
190pF @ 15V
Potência - Máx.
2W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Número do produto base
IRF995
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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