Número do Produto do Fabricante:
IRF7910PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF7910PBF-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Inventário:
12818265
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IRF7910PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1730pF @ 6V
Potência - Máx.
2W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Número do produto base
IRF7910
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001560068
Pacote padrão
95
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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