Número do Produto do Fabricante:

IRF7842PBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IRF7842PBF-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 40V 18A 8SO

Descrição Detalhada:

N-Channel 40 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventário:

RFQ Online

12805650

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IRF7842PBF Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalagem

-

Série

HEXFET®

Status do produto

Discontinued at Digi-Key

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

40 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

18A (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 17A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

2.25V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

50 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

4500 pF @ 20 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

2.5W (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

8-SO

Pacote / Estojo

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

2156-IRF7842PBF-IT

SP001554448

IFEINFIRF7842PBF

Pacote padrão

95

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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