Número do Produto do Fabricante:
IRF7807VD1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF7807VD1PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventário:
12805261
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IRF7807VD1PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
FETKY™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001551528
Pacote padrão
95
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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