Número do Produto do Fabricante:
IRF7665S2TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF7665S2TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DIRECTFET SB
Inventário:
12806117
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IRF7665S2TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 25µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
515 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.4W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET SB
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric SB
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IRF7665S2TRPBFDKR
IRF7665S2TRPBFTR
SP001570544
IRF7665S2TRPBFCT
IRF7665S2TRPBF-DG
Pacote padrão
4,800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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