Número do Produto do Fabricante:
IRF7338PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF7338PBF-DG
Descrição:
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventário:
12804266
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IRF7338PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.3A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
640pF @ 9V
Potência - Máx.
2W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Número do produto base
IRF733
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001565278
*IRF7338PBF
Pacote padrão
95
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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