IRF7201TRPBFXTMA1
Número do Produto do Fabricante:

IRF7201TRPBFXTMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IRF7201TRPBFXTMA1-DG

Descrição:

PLANAR <=40V
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 7.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount PG-DSO-8-902

Inventário:

13000559
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IRF7201TRPBFXTMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-DSO-8-902
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Informação Adicional

Outros nomes
SP005876270
448-IRF7201TRPBFXTMA1TR
Pacote padrão
4,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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