Número do Produto do Fabricante:
IRF6794MTR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF6794MTR1PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 32A (Ta), 200A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventário:
300 Pcs Novo Original Em Estoque
13064195
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IRF6794MTR1PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
HEXFET®
Empacotamento
Cut Tape (CT)
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Ta), 200A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.35V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4420 pF @ 13 V
Recurso FET
Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET™ MX
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric MX
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IRF6794MTR1PBFCT
IRF6794MTR1PBFTR
SP001531602
IRF6794MTR1PBFDKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPT60R125G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 20A 8HSOF
IRLU3715
MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK
IRF9520NL
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
