Número do Produto do Fabricante:
IRF6727MTRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF6727MTRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventário:
3845 Pcs Novo Original Em Estoque
12806041
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IRF6727MTRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.35V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6190 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET™ MX
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric MX
Número do produto base
IRF6727
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRF6727MTRPBF-DG
IRF6727MTRPBFTR
2156-IRF6727MTRPBF
IRF6727MTRPBFDKR
INFIRFIRF6727MTRPBF
SP001530240
IRF6727MTRPBFCT
Pacote padrão
4,800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFS7762PBF
MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
IRF7452PBF
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
IRLR3717TRLPBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
