Número do Produto do Fabricante:
IRF6712STRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF6712STRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 17A (Ta), 68A (Tc) 2.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventário:
12815239
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IRF6712STRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17A (Ta), 68A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1570 pF @ 13 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET™ SQ
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric SQ
Número do produto base
IRF6712
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRF6712STRPBFDKR
SP001529206
IRF6712STRPBF-DG
IRF6712STRPBFTR
IRF6712STRPBFCT
Pacote padrão
4,800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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