Número do Produto do Fabricante:
IRF6706S2TR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF6706S2TR1PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 17A (Ta), 63A (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
Inventário:
838 Pcs Novo Original Em Estoque
12805106
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IRF6706S2TR1PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17A (Ta), 63A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.35V @ 25µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1810 pF @ 13 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta), 26W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DirectFET™ Isometric S1
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric S1
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IRF6706S2TR1PBFCT
IRF6706S2TR1PBFTR
SP001528294
IRF6706S2TR1PBFDKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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