Número do Produto do Fabricante:
IRF6643TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF6643TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 6.2A (Ta), 35A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventário:
10693 Pcs Novo Original Em Estoque
12804463
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IRF6643TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.2A (Ta), 35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34.5mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.9V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2340 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET™ MZ
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric MZ
Número do produto base
IRF6643
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRF6643TRPBF-DG
SP001570070
IRF6643TRPBFDKR
IRF6643TRPBFCT
IRF6643TRPBFTR
Pacote padrão
4,800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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