Número do Produto do Fabricante:
IRF6641TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF6641TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventário:
12804042
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IRF6641TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.9V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2290 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET™ MZ
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric MZ
Número do produto base
IRF6641
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IRF6641TRPBF
IRF6641TRPBF-DG
IRF6641TRPBFCT
SP001559700
IRF6641TRPBFDKR
IRF6641TRPBFTR
IFEINFIRF6641TRPBF
Pacote padrão
4,800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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