Número do Produto do Fabricante:
IRF6621TR1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF6621TR1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 55A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventário:
12802917
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IRF6621TR1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Ta), 55A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.25V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1460 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET™ SQ
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric SQ
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IRF6621
IRF6621TR1INACTIVE
IRF6621-DG
IRF6621TR1-DG
IRF6621TR1TR
SP001524780
IRF6621TR1CT
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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