Número do Produto do Fabricante:
IRF6619TR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF6619TR1PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventário:
2000 Pcs Novo Original Em Estoque
12803360
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IRF6619TR1PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Ta), 150A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.45V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5040 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET™ MX
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric MX
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IRF6619TR1PBFCT
IRF6619TR1PBFTR
SP001531686
IRF6619TR1PBFDKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF6619TR1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7158
NÚMERO DA PEÇA
IRF6619TR1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.19
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
NÚMERO DA PEÇA
IRF6619
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
13859
NÚMERO DA PEÇA
IRF6619-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.21
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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