Número do Produto do Fabricante:
IRF6618TR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF6618TR1PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventário:
12806819
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IRF6618TR1PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Ta), 170A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.35V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5640 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET™ MT
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric MT
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001532196
IRF6618TR1PBFTR
IRF6618TR1PBFDKR
IRF6618TR1PBFCT
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF6618TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3953
NÚMERO DA PEÇA
IRF6618TRPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.07
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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