Número do Produto do Fabricante:
IRF5852TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF5852TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Inventário:
12804477
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IRF5852TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.25V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400pF @ 15V
Potência - Máx.
960mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Número do produto base
IRF58
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IRF5852TRPBF-DG
IRF5852TRPBFCT
SP001554076
IRF5852TRPBFDKR
IRF5852TRPBFTR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
2 (1 Year)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDC6305N
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
19890
NÚMERO DA PEÇA
FDC6305N-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.17
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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