IRF5810TRPBF
Número do Produto do Fabricante:

IRF5810TRPBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IRF5810TRPBF-DG

Descrição:

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP

Inventário:

12805437
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IRF5810TRPBF Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650pF @ 16V
Potência - Máx.
960mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Número do produto base
IRF58

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
IRF5810TRPBFTR
SP001574802
IRF5810TRPBF-DG
IRF5810TRPBFCT
IRF5810TRPBFDKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
2 (1 Year)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
infineon-technologies

IRFI4020H-117P

MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5

infineon-technologies

IRF9956TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO

infineon-technologies

IRF8910PBF

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO

infineon-technologies

IRF7316TR

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO